通过将熔化技术，烧结技术，合成技术以及加工技术进行技术融合，可以对各种素材，纯度以及形状的产品进行处理。
金属靶材
无机化合物靶材
复合靶材
标准尺寸一览
圆球形 直径 φ50.8、φ76.2、φ101.6、φ127、φ152.4、φ203.2、 φ254、φ304.8、φ355.6、φ406.4、φ508、φ533.4
矩形 平面尺寸 127×304.8、127×381、127×508、127×558.8、152.4×508
厚度 ｔ3、ｔ5、ｔ6.35
高纯度材料
我们秉持着「高纯度材料是技术革新的源泉」的信念，对各种高纯度材料进行开发及生产。
Al ～6N Mn ～4N
Co ～4N5 Sn ～5N
Cu ～6N Ti ～5N
In ～5N Zn ～5N
Mg ～4N5 其他各种合金（Co-Fe-B等）
高纯度Mg
我们秉持着「高纯度材料是技术革新的源泉」的信念，对各种高纯度材料进行开发及生产。我们确立了Mg的高纯度化技术，并使用其对溅射靶材进行生产及供应。
高纯度Mn
Mn是一种脆性材料，在靶材的加工上非常困难。我们通过*合适的生产条件，实现了高纯度Mn靶材的生产。
Mn合金
我们通过烧结，熔化工序对有望成为一种新的磁性层材料的Mn合金靶材进行生产。大多数Mn合金是易碎的，因此通常是通过烧结工序进行生产。此外，由于可作为磁性层进行使用，我们收到了许多关于低氧含量产品和靶材大型化的要求。
为了满足这些要求，以供应各种熔融制靶材为目标，我们不断地进行各种挑战。
Mn合金：MnxGa100-x (55≦x≦75)
Mn合金作为一种不含稀有金属以及稀土的磁性材料，近年来引起了人们的广泛关注，我们可以对大型的熔制靶材进行供应。
Co合金
Co合金是用于各种磁性器件的材料。以Co-Fe-B靶材为首，我们拥有生产各种组成的Co合金靶材的实绩。
例如：Co-Fe, Co-Fe-α, Co-Ni, Co-Zr-Nb, Co-Zr-Nb-Ta等
MgO靶材
MgO是下一代HDD介质的模板层，TMR磁头以及磁性存储器（如MRAM）中不可缺少的功能性材料。
早在2002年，我们就开始开发和生产适合TMR元件的溅射靶，并一直提供具有“高纯度”、“高密度”和“低颗粒”特征的MgO靶材。
MgO靶材・镜面研磨品
融制低氧化Ir-Mn靶材
Ir-Mn*大的特点在于它的非挥发性以及可进行无限的重写, 是一种被用作为反铁磁层的非易失性磁性存储器(MRAM)。我们确立了熔融制靶材的生产方法并对其实现了低氧化。
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